Технология GAA (Gate-All-Around) обеспечивает более точный контроль над током и снижает утечки по сравнению с традиционными FinFET. Исследователи добились коэффициента включения и выключения свыше 500 000 раз, что открывает путь к созданию высокопроизводительных чипов на старом литографическом оборудовании. Применение многократной экспозиции и оптимизация расстояния между транзисторами позволяют компенсировать физические ограничения DUV-установок.
Данное достижение затрагивает только этап формирования транзисторов, известный как FEOL. Для полноценного выпуска микросхем инженерам предстоит решить задачи на последующих стадиях, включая создание металлических соединений и сложную разводку слоя M0. Пока речь идет о доказательстве концепции, а не о запуске промышленного производства, однако предложенный метод дает Китаю реальный шанс повысить плотность компоновки процессоров в условиях технологической изоляции.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!