Китайские ученые адаптировали архитектуру GAA для DUV-литографии

Конструкция GAA подразумевает, что затвор окружает канал со всех сторон, обеспечивая точный контроль над током и снижение утечек при миниатюризации чипов. Использование устаревшей DUV-литографии требует применения методов многократного формирования рисунка и иммерсионных технологий, что неизбежно усложняет производство и увеличивает итоговую стоимость кристаллов.

Эксперты предупреждают, что переход на новую архитектуру не является эквивалентом полноценного 3-нанометрового техпроцесса. Основная сложность заключается в создании микроскопических контактов и металлических соединений между миллиардами элементов на чипе, что остается критическим барьером для DUV-оборудования. Тем не менее, новая разработка позволяет увеличить дистанцию между элементами транзистора без потери производительности, повышая плотность размещения логических ячеек. Параллельно с этим Huawei тестирует технологию LogicFolding, предполагающую вертикальное наслоение кремниевых структур для роста вычислительной мощности в условиях технологической блокады.