Российские физики преодолели барьер в производстве 2D-транзисторов

Главная сложность работы с двумерными материалами заключалась в их хрупкости: при попытке нанести металлические контакты с помощью вакуумного напыления структура полупроводника разрушалась. Физики из МФТИ предложили использовать метод атомно-слоевого осаждения, внедрив между контактом и дисульфидом молибдена защитный барьер из диоксида титана. Этот слой в несколько атомов сохраняет целостность полупроводника, обеспечивая стабильную проводимость.

Разработанный метод универсален: его можно адаптировать для работы с дисульфидом вольфрама и селенидами металлов, что критически важно для развития гибкой и прозрачной электроники. Пока речь идет об успешных прототипах отдельных транзисторов, тогда как создание полноценных микросхем требует масштабирования инженерных решений. Глобальная гонка технологий набирает обороты — аналогичные экспериментальные линии по выпуску процессоров на дисульфиде молибдена уже запущены в Китае, что подчеркивает высокий потенциал перехода индустрии на новые материалы.