Переход генеративного искусственного интеллекта на локальные устройства требует колоссальных скоростей обмена данными. Решение от Samsung удваивает производительность предшественника: скорость последовательного чтения достигает 10,8 ГБ/с, а записи — 9,5 ГБ/с. Такие показатели позволяют мгновенно запускать тяжелые языковые модели, которые раньше вынуждали смартфон тратить время на ожидание отклика системы.
Инженеры добились прироста энергоэффективности более чем на 40%. За счет оптимизации управления частотой и многовольтовых технологий устройство потребляет меньше ресурсов при передаче того же объема информации, что существенно продлевает жизнь батареи. При этом сам модуль стал компактнее: его габариты составляют 7,5 x 13 x 0,9 мм, что на 16,7% меньше предыдущего поколения. Массовое производство чипов объемом до 1 ТБ стартует в четвертом квартале текущего года.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!