Технические характеристики новых модулей превосходят текущие стандарты: объем каждого слоя стека составляет 48 ГБ, а скорость передачи данных достигает 14 Гбит/с с перспективой разгона до 16 Гбит/с. Общая пропускная способность системы — 3,6 ТБ/с, что на 20% выше показателей предыдущего поколения HBM4.
Архитектура решения объединяет DRAM шестого поколения 10-нанометрового класса и логический кристалл, созданный на мощностях Samsung Foundry по 4-нм техпроцессу. Использование той же технологии, что и для выпуска процессоров Exynos, позволило инженерам компании добиться необходимых параметров энергоэффективности и производительности для работы с графическими ускорителями Nvidia.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!