В основе открытия лежит управление сдвигом слоев в двумерных сегнетоэлектриках, где электрический заряд меняется не за счет смещения ионов, а в результате перемещения целых атомных пластов. Ранее ученые сталкивались с проблемой непредсказуемости траекторий: кристаллическая структура материала предлагала слишком много равноправных путей для скольжения, что делало процесс неуправляемым.
Команда из Нинбоского университета и Китайской академии наук применила квантовые расчеты в сочетании с алгоритмами искусственного интеллекта для моделирования двухслойного нитрида бора. Выяснилось, что достаточно незначительного растяжения материала в одном направлении, чтобы нарушить симметрию и задать слоям конкретный маршрут. При подаче электрического поля система переходит из конфигурации BA в AB, обеспечивая высокую скорость переключения. Полученный результат в 1,7 пикосекунды превышает показатели классических материалов на несколько порядков, что делает новую технологию перспективной базой для электроники будущего.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!