В основе разработки лежит ферромагнетик Fe₃GaTe₂, в котором ученые спровоцировали переход скирмионной решетки в полосовые магнитные домены. Этот процесс происходит детерминированно, что устраняет проблему стохастичности, мешавшую ранее управлять отдельными вихреобразными структурами. Линейное изменение сопротивления материала позволяет задавать веса синапсов и выполнять операции умножения с накоплением, лежащие в фундаменте современных нейросетей.
Энергоэффективность такого решения составляет около 0,66 пикоджоуля на операцию, что ставит технологию в один ряд с передовыми типами памяти вроде RRAM и PCM. Практическая проверка в квантованной нейросети при распознавании рукописных цифр подтвердила надежность метода: точность классификации достигла 96,1%. Отказ от криогенного охлаждения снимает главный барьер для интеграции подобных магнитных компонентов в коммерческие электронные устройства.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!