AMD тестирует 3D DRAM с 17-кратным приростом энергоэффективности

Привычная память HBM использует сквозные кремниевые соединения, требующие физического зазора между слоями, который заполняется полимером. Этот слой создает лишнее сопротивление и ограничивает плотность контактов. Технология hybrid bonding, которую внедряет AMD, позволяет соединять поверхности напрямую через медные контакты, обеспечивая компактность и минимальные потери энергии.

Однако переход от теории к серийному производству упирается в тепловые ограничения. Гибридное соединение требует предельной чистоты — даже микроскопическая частица размером в несколько нанометров способна нарушить контакт. Кроме того, соседство с мощным ИИ-ускорителем создает колоссальную нагрузку: нагрев провоцирует утечку заряда в ячейках DRAM и заставляет систему чаще обновлять данные. Успешный опыт компании с 3D V-Cache пока не дает готового решения для DRAM, поэтому технология остается перспективной разработкой, требующей новых подходов к охлаждению и промышленной точности.