Традиционные транзисторы на базе нитрида галлия сталкиваются с ограничением при работе в киловольтных диапазонах: из-за неравномерного распределения электрического поля устройство быстро пробивается. Исследователи из EPFL устранили этот дефект, отказавшись от стандартного легирования в пользу использования поляризации кристаллической структуры. Внутри прибора они создали сбалансированные слои двумерного электронного и дырочного газа.
Разница в концентрации носителей заряда в этих слоях составила менее 2%, что позволило электрическому полю распределяться равномерно по всей площади кристалла. В ходе испытаний экспериментальные диоды Шоттки выдержали 3,9 кВ при удельном сопротивлении 4,7 мОм·см², тогда как контрольные образцы с несбалансированным зарядом выходили из строя при напряжении ниже 1 кВ. Технология сохранила стабильность даже при нагреве до 125 °C.
Важным преимуществом разработки остается использование кремниевой подложки, что делает производство экономически оправданным. Сейчас команда работает над интеграцией новой архитектуры с многоканальными структурами, чтобы дополнительно снизить тепловые потери и еще сильнее поднять порог пробоя за счет замены материала подложки.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!