Технология базируется на методах магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения в вакууме. Ученые создали слои толщиной от 50 до 500 нанометров, варьируя содержание кадмия для достижения оптимальных характеристик. Наилучшие показатели продемонстрировали образцы с четырехпроцентным содержанием металла. При контакте пленки с кремниевой подложкой возникает гетеропереход, который в пять раз увеличивает разницу сопротивления материала при освещении и в темноте.
Такая архитектура позволяет встраивать фоточувствительные элементы в структуру чипа без радикального изменения производственных линий. Гибкость метода дает возможность настраивать сенсоры на разные участки спектра — от синего до ближнего инфракрасного излучения. В перспективе разработка найдет применение в устройствах мониторинга, оптоэлектронных системах и высокоточных датчиках лазерных импульсов, где критически важна мгновенная реакция оборудования на внешние изменения.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!