Samsung отложила выпуск 10-нм памяти нового поколения из-за брака

Южнокорейская Samsung Electronics вынуждена изменить график запуска серийного производства DRAM-памяти по техпроцессу D1d. Изначально массовый выпуск 10-нанометровых чипов седьмого поколения планировался вскоре после пробной партии первого квартала, однако низкие показатели выхода годной продукции заставили производителя отложить старт и пересмотреть цели.

Техпроцесс D1d считается критическим узлом в дорожной карте Samsung, так как на его базе планируется создавать память стандарта HBM5E. Ранее корпорация заявляла о намерении сократить цикл разработки новых поколений высокоскоростной памяти в два раза, чтобы закрепить лидерство в сегменте ИИ-вычислений. Текущая задержка ставит реализацию этой стратегии в прямую зависимость от того, как быстро инженеры справятся с производственным браком на линиях.

На рыночные позиции Samsung инцидент повлияет не сразу. Отрасль только переходит на стандарт HBM4, а поставки образцов следующей итерации, HBM4E, запланированы лишь на вторую половину этого года. До появления HBM5E компании предстоит освоить еще несколько промежуточных технологий. Сбой на этапе D1d подчеркивает растущую сложность перехода к сверхтонким техпроцессам, где малейшее отклонение от целевых показателей доходности ведет к пересмотру глобальных графиков поставок.