Ускорение темпов стало возможным благодаря активной поддержке правительства, которое взяло на себя обязательства по оперативному обеспечению площадки электричеством, водой и подготовленным земельным ресурсом. Для Samsung это стратегически важное решение: компания стремится как можно быстрее нарастить объемы выпуска чипов, спрос на которые подстегивают разработки в сфере искусственного интеллекта. Особую роль здесь играет высокоскоростная память HBM, ставшая основным драйвером полупроводникового подразделения в последние годы.
Завод в Йонъине — лишь часть масштабного плана: всего на территории комплекса планируется возвести шесть предприятий. Параллельно конкуренты не теряют времени: SK Hynix также готовится запустить новое производство NAND-памяти в первой половине 2029 года, инвестировав в проект 51 млрд долларов. Несмотря на оптимистичные прогнозы, Samsung пока не раскрывает специализацию первой линии, допуская выпуск как логических микросхем, так и модулей памяти. Основным риском для столь амбициозных графиков остаются сложности с прокладкой новых линий электропередачи, которые уже неоднократно становились причиной задержек в южнокорейских технологических хабах.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!