НИИЭТ представил две новые модели GaN-транзисторов

Первая модель, ТНГ 131005‑28, стала первым отечественным дискретным транзистором, работающим в Ku-диапазоне. Прибор выдает более 10 Вт мощности на частотах до 13,5 ГГц при коэффициенте усиления от 13 дБ и КПД до 50%. Инженеры поместили его в традиционный металлокерамический корпус, который обеспечивает эффективный отвод тепла и высокую устойчивость к внешним воздействиям.

Второй образец, ТНГ 60005‑28П, ориентирован на компактность и серийное производство. Использование металлополимерного корпуса DFN3x3-6L размером 3x3 мм позволило снизить паразитные емкости и индуктивности. В результате транзистор показывает усиление не менее 17,4 дБ при КПД от 56% в диапазоне частот 6–8 ГГц. Переход на пластиковые корпуса упрощает поверхностный монтаж плат и снижает себестоимость изделий без потери эксплуатационных качеств. Обе новинки соответствуют стратегии развития российской электроники до 2030 года, где нитрид-галлия определен как критически важное технологическое направление.