Группа ученых изучила структуру транзисторов, состоящих из кристаллов толщиной в один атом. Главной проблемой оставалось «узкое место» в контактах, через которые подается ток: при чрезмерном уменьшении их размера эффективность работы устройства резко падала. Ранее теоретики предполагали, что длина переноса заряда должна составлять от нескольких десятков до 170 нанометров.
Используя сканирующую туннельную микроскопию, авторы работы зафиксировали распределение тока с атомным разрешением. Оказалось, что основной объем носителей заряда переходит из контакта в полупроводниковый слой на отрезке всего в 2–3 нанометра. Этот показатель оказался на порядок ниже всех предыдущих прогнозов. Возможность столь радикального масштабирования контактов позволяет создавать еще более плотные и производительные чипы, что критически важно для развития вычислительных мощностей искусственного интеллекта.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!