Традиционные источники глубокого ультрафиолета, такие как ртутные лампы, отличаются токсичностью и внушительными габаритами, что ограничивает их интеграцию в современную электронику. Чтобы преодолеть эти барьеры, команда ученых вырастила полупроводниковые слои на сапфировых подложках. Использование сапфира позволило применить стандартные методы микрообработки для создания крошечных дисков, в которых свет удерживается за счет эффекта шепчущей галереи. Подобно звуку, отражающемуся от сводов архитектурных сооружений, световой поток многократно циркулирует вдоль края диска, что позволяет обойтись без громоздких систем зеркал.
На текущем этапе устройства активируются с помощью внешнего лазера, однако Эдуард Моисеев из Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ отмечает, что следующим шагом станет переход к электрической накачке. Это позволит интегрировать лазеры в портативные приборы, исключив необходимость во внешних источниках питания. Успешная реализация технологии дает возможность создавать высокоэффективные датчики для анализа газов и обнаружения биологически активных веществ, где критически важна компактность и высокая точность излучения.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!